В мае 1998 года защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук «Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ». В декабре 1998 года принят на должность профессора кафедры физики твердого тела СГУ. В марте 1999 года избран по конкурсу на должность профессора кафедры физики твердого тела СГУ. В 2000 году присвоено ученое звание профессора по кафедре физики твердого тела.
Научный руководитель кандидатской и научный консультант докторской диссертаций — «Заслуженный деятель науки РФ», «Почетный работник высшего профессионального образования РФ», академик РАЕН, академик и председатель Саратовского (Нижне-Волжского) отделения МАН ВШ, доктор физ. мат. наук, профессор Усанов Дмитрий Александрович.
Скрипаль А.В. читает лекционные курсы на факультете нано- и биомедицинских технологий, физическом факультете, факультете нелинейных процессов, юридическом факультете СГУ: Физика полупроводников. Физика твердого тела: Электронные свойства кристаллов. Материалы электронной техники. Физика квантово-размерных структур. Физика конденсированного состояния. Элементы и приборы наноэлектроники. Физические основы наноэлектроники. Физика твердого тела и твердотельная электроника. Физические принципы работы твердотельных СВЧ-приборов. СВЧ-оптоэлектроника. Проблемы современной физики полупроводников и диэлектриков.
Профессор Скрипаль А.В. — высококвалифицированный педагог, осуществляющий педагогическую деятельность с применением новейших образовательных стандартов и методик. Автор более 50 рабочих бакалаврских и магистерских программ по направлениям 210600 «Нанотехнология», 210100 «Электроника и микроэлектроника» и «Электроника и наноэлектроника», 010700 «Физика», рабочих программ по специальностям 210601 «Нанотехнология в электронике», 010803 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».
Скрипаль А.В. внёс большой вклад в воспитание и подготовку квалифицированных научных и научно-педагогических кадров. Под его руководством защищено 11 кандидатских диссертаций.
Скрипаль А.В. — известный в нашей стране и за рубежом ученый, активно работающий на стыке твердотельной, микро- и наноэлектроники, радиофизики, СВЧ-техники и медико-биологической диагностики. Результатом исследований Скрипаля А.В. явилась разработка новых радиоволновых способов измерений параметров слоистых наноструктур и нанокомпозитных материалов, СВЧ-измерителя эрозионностойкого покрытия на теплозащитном слое космического корабля многоразового использования «Буран».
В настоящее время Скрипаль А.В. развивает новое научное направление по созданию средств контроля метаматериалов с использованием методов ближнеполевой СВЧ-микроскопии.
Работы Скрипаля А.В. в области создания высокотехнологичных инноваций получили мировое признание.
В 2009 году награждён Гран-при на 5-й Международной ярмарке изобретений SIIF-2009 (г. Сеул, Республика Корея) за изобретение: Способ дистанционного контроля физиологических параметров жизнедеятельности организма: микроволновое дистанционное зондирование дыхательных движений и сердцебиений человека (патент на изобретение РФ №2295911 «Способ дистанционного контроля физиологических параметров жизнедеятельности организма»).
В 2011 году награждён Гран-при «Agro Arca» на 4-й Международной Ярмарке инноваций, экологической идеи и технологии в сельском хозяйстве и пищевой промышленности Agro Arca 2011 (г. Слатина, Хорватия) за изобретение: Комплекс для тестирования водной среды (патент на изобретение РФ №2290629 «Автодинный измеритель качества воды», патент №2155335 «Способ определения влияния вредного воздействия на биообъекты» и др.).
Скрипаль А.В. — автор 32 патентов и авторских свидетельств, 7 свидетельств о государственной регистрации программ для ЭВМ, более 80 научных статей, опубликованных в центральных отечественных и зарубежных журналах. Результаты его работ обобщены в трех монографиях, 10 учебных пособиях.
За период с 2002 по 2012 год за разработку новых типов приборов, созданных на основе изобретений, Скрипаль А.В. награжден золотыми (23), серебряными (13) и бронзовыми (4) медалями международных конкурсов в Женеве, Нюрнберге, Париже, Брюсселе, Лионе, Москве, Сучжоу, Сеуле, Куньшане.
В 2008 году награждён золотыми медалями Международной федерации Ассоциаций изобретателей (International Federation of Inventors’ Associations (IFIA)) за победу в финале Кубка Европы (Europe and America Semifinal, IENA Nuremberg, 1-4 ноября 2007 года) и финале Кубка мира (The 6th International Exhibition of Inventions, IFIA General Assembly, г. Сучжоу, КНР, 17-20 октября 2008 года) Всемирного конкурса на лучшее изобретение в области компьютерных технологий (World Cup of Computer Implemented Inventions (World Cup of CIIs) — IFIA Project, 2007-2008, sponsored by Microsoft): Компьютерные видеотехнологии для диагностики и лечения нистагма глаз внешним световым воздействием переменной амплитуды и частоты (патент на изобретение РФ №2193337 «Способ исследования движения глазного яблока», патент №2221475 «Способ исследования движения глаз по бинокулярному изображению и устройство для его реализации», патент №2288676 «Способ лечения нистагма глаз» и др.).
Научная и педагогическая работа Скрипаля А.В. получила общественное признание.
В 2006 году за добросовестный труд и высокий профессионализм в работе награждён Почётной грамотой Министерства промышленности и энергетики Саратовской области.
В 2007 году за многолетнюю плодотворную научную деятельность и большой личный вклад в развитие промышленности области Скрипаль А.В. награждён Почётной грамотой Губернатора Саратовской области.
В 2008 г. за достижения в области создания инноваций Скрипаль А.В. награжден Почетной наградой Бельгии — орденом «Офицера».
В 2009 году за большой вклад в развитие теории и практики правовой охраны объектов интеллектуальной собственности, за заслуги в развитии науки, разработку и внедрение новых типов приборов, созданных на основе изобретений Скрипаль А.В. награжден Почетным знаком «Во благо России» Федеральной службы по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам.
В 2011 году за заслуги перед космонавтикой награждён Медалью имени Первого Космонавта Земли Ю.А. Гагарина (Федерация космонавтики России).
В 2012 году за высокий профессионализм в работе, достигнутые результаты в научно-исследовательской деятельности и в связи с Днем российской науки награждён Почётной грамотой Министерства промышленности и энергетики Саратовской области.
Скрипаль А.В. — заместитель председателя совета по защите докторских и кандидатских диссертаций, член ученого Совета факультета нано- и биомедицинских технологий Саратовского государственного университета, член Международного института инженеров электриков и электроников (IEEE). Награжден знаком «Изобретатель СССР».
Наиболее значимые публикации:
1. Никитов С.А., Гуляев Ю.В., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. Определение проводимости и толщины полупроводниковых пластин и нанометровых слоев с использованием одномерных СВЧ фотонных кристаллов// Доклады Академии Наук. Т. 448, № 1, Январь 2013. С. 35-37.
2. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Управление СВЧ-характеристиками композитных материалов с наполнителем из углеродных нанотрубок воздействием ультрафиолетового излучения// Журнал технической физики. 2013. Т. 83, вып. 3. С. 91–95.
3. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Феклистов В.Б., Вениг С.Б. Лабораторный практикум «Измерение параметров полу-проводников, микро- и наноструктур на СВЧ» (учебное пособие)– Саратов: Электронное издание Сарат. ун-та, 2012. – 91 с.: ил
4. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Феклистов В.Б., Вениг С.Б. Измерение параметров полупроводников, микро- и наност-руктур на СВЧ (учебное пособие)– Саратов: Электронное издание Сарат. ун-та, 2012. – 55 с.: ил.
5. Усанов Д.А., Никитов С.А. Скрипаль А.В., Куликов М.Ю., Пономарев Д.В. Измерение параметров твердых и жидких диэлектриков на сверхвысоких частотах с использованием микрополосковых фотонных структур// Радиотехника и электроника. 2012, том. 57. № 2. С. 230–236.
6. Гуляев Ю.В., Никитов С.А., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Постельга А.Э., Пономарев Д.В. Определение параметров тонких полупроводниковых слоев с использованием одномерных СВЧ фотонных кристаллов// Доклады Академии Наук. Т. 443, № 5, Апрель 2012,. С. 564-566.
7. D.A. Usanov, A.V. Skripal Near-Field Microwave Microscopy. Capabilities. Application areas // Proc. of 19th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications MIKON-2012. Warsaw, Poland, May 21-23, 2012. – V.1. P. 163–168.
8. D. A. Usanov, Al. V. Skripal, An. V. Skripal, A. V. Abramov, A. S. Bogolyubov, and Ali Bakouei. Measurement of the Parameters of Nanometer Films by Optical and Microwave Methods// Semiconductors, 2011, Vol. 45, No. 13, pp. 74–78. © Pleiades Publishing, Ltd., 2011.
9. D. A. Usanov, A. V. Skripal’, and A. V. Romanov. Electrophysical Properties of Composites with Carbon Nanotubes, Fine Graphite, and Feritte Microparticles as Inclusions// Russian Microelectronics, 2011, Vol. 40, No. 7, pp. 463–468. © Pleiades Publishing, Ltd., 2011.
10. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Коротин Б.Н., Феклистов В.Б., Пономарев Д.В., Фролов А.П. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия нанометровых слоев металла на диэлектрических подложках// Известия вузов. Электроника. 2011. №5(91). С. 83–90.
11. Dmitry A. Usanov, Sergey A. Nikitov, Alexander V. Skripal, Anton V. Abramov, Anton S. Bogolubov, Boris N. Korotin, Vladimir B. Feklistov, Denis V. Ponomarev, Alexander P. Frolov Microwave Imaging of the Ceramic Plate Surface with the Nanometer Metal Layer by Means of the Near-Field Microscope Based on the Gunn-Diode Oscillator// Proceedings of the 41th European Microwave Conference. 9-14 October 2011. Manchester, UK. P. 210–213. 978-2-87487-022-4 © 2011 EuMA
12. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Комплексная диэлектрическая проницаемость композитов на основе диэлектрических матриц и входящих в их состав углеродных нанотрубок// Журнал технической физики. 2011. Т. 81, вып. 1. С. 106–110.
13. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Температурная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости композитов на основе диэлектрических матриц и входящих в их состав углеродных нанотрубок// Известия вузов. Электроника. 2011. №2. С. 33–37.
14. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Куликов М. Ю. Микрополосковый p–i–n-диодный СВЧ-выключатель// Известия вузов. Радиоэлектроника. 2011. Т.54, №4. С. 51–54.
15. Биорадиолокация / под ред. А.С. Бугаева, С.И, Ивашова, И.Я. Иммореева. Авторы: А.В. Абрамов, А.С. Боголюбов, А.Э. Постельга, Ал.В. Скрипаль, Ан.В. Скрипаль, Д.А. Усанов и др. – М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. – 396 с.
16. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Романов А.В., Куликов М.Ю., Пономарев Д.В. Фотонные структуры в СВЧ-диапазоне и их применение для измерения параметров композитов с включениями из углеродных нанотрубок и жидких диэлектриков// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2010. Т. 13. № 3. С. 26–34.
17. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Электрофизические свойства композитов с включениями в виде углеродных нанотрубок, частиц мелкодисперсного графита и ферритовых микрочастиц// Известия вузов. Электроника. 2010. №5. С. 45–52.
18. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Боголюбов А. С., Скворцов В. С., Мерданов М. К. Волноводные фотонные кристаллы с характеристиками, управляемыми p–i–n-диодами// Известия вузов. Электроника. 2010. №1. С. 24–29.
19. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Бокуи Али. Измерение параметров нанометровых пленок оптическими и радиоволновыми методами// Известия вузов. Электроника. 2010. №3. С. 44–50.
20. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Куликов М.Ю., Пономарев Д.В. Микрополосковые фотонные кристаллы и их использование для измерения параметров жидкостей// Журнал технической физики. 2010. Т. 80, вып. 8, с. 143–148
21. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Постельга А.Э. Частотная зависимость коэффициента отражения СВЧ-излучения от магнитной жидкости в области азотных температур// ЖТФ. 2009. Т. 79, вып. 9, с. 146–148.
22. Dmitry A. Usanov, Alexander V. Skripal, Anton V. Abramov, Anton S. Bogolubov, Maxim Y. Kulikov, Denis V. Ponomarev. Microstrip Photonic Crystals and Their Utilization for Measurement of Liquids// Proceedings of the 39th European Microwave Conference. 29 September - 1 October 2009, Rome, Italy. P. 1049–1052. 978-2-87487-011-8 © 2009 EuMA
23. Dmitry A. Usanov, Alexander V. Skripal, Anton V. Abramov, Anton S. Bogolubov, Vladimir S. Skvortsov, Merdan K. Merdanov. Waveguide Photonic Crystals with Transmittance, Controlled by PIN-diodes// Proceedings of the 39th European Microwave Conference. 29 September - 1 October 2009, Rome, Italy. P. 213–216. 978-2-87487-011-8 © 2009 EuMA
24. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Боголюбов А. С., Скворцов В. С., Мерданов М. К. Широкополосные волноводные согласованные нагрузки на основе фотонных кристаллов с нанометровыми металлическими слоями// Известия вузов. Радиоэлектроника. 2009. №1. С.73 – 80.
25. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Куликов М.Ю. Фотонные структуры и их использование для измерения параметров материалов/ Известия вузов. Электроника. 2008. №5. С. 25–32.
26. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Скворцов В.С., Мерданов М.К. Использование волноводных фотонных структур для измерения параметров нанометровых металлических слоев на изолирующих подложках// Известия вузов. Электроника. 2007. №6. С. 25–32.
27. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Изменение типа резонансного отражения электромагнитного излучения в структурах нанометровая металлическая пленка – диэлектрик// Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33, вып. 2, с. 13–22.
28. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Постельга А. Э., Райхер Ю.Л., Степанов В.И. Температурная зависимость коэффициента отражения микроволнового излучения от слоя магнитной жидкости// ЖТФ. 2006. Т. 76, вып. 11, с. 126–129.
29. Чаплыгин Ю.А., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Методика измерения электропроводности нанометровых металлических пленок в слоистых структурах по спектрам отражения электромагнитного излучения// Известия вузов. Электроника. 2006. №6. С. 27–35.
30. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл–полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения// ЖТФ. 2006. Т. 76, вып. 5, с. 112–117.
31. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Постельга А. Э. Радиоволновая интерферометрия движений тела человека, связанных с дыханием и сердцебиением// Биомедицинские технологии и радиоэлектроника. 2005. №11–12. С. 44–51.
32. Чаплыгин Ю.А., Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Семёнов А.А., Абрамов А.В., Голишников А.А. Радиоволновые и оптические измерения толщины и электропроводности металлических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках // Известия вузов. Электроника. 2005. №1. С. 68–77.
33. Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В. Автоматизированные системы научных исследований. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2004. 144 с.
34. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Постельга А.Э. СВЧ-автодиный измеритель параметров вибраций // Приборы и техника эксперимента. 2004 г. №5. С. 130–134.
35. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Ульянов Д.В. Вычитание сигналов в полупроводниковых синхронизированных СВЧ-генератораx//Радиотехника и электроника. 2004. Т. 49, № 3. С. 373–379.
36. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Поздняков В.А. СВЧ-метод измерения подвижности свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах// Известия вузов. Электроника. 2004. №2. С. 76–84.
37. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Физика полупроводниковых радиочастотных и оптических автодинов. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2003. 312 с.
38. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Клецов А.А. Нелинейность частотных характеристик полевого транзистора с барьером Шотки в режиме большого сигнала// Известия вузов. Электроника. 2003. №5. С. 50–56.
39. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Клецов А.А., Абрамов А.В., Ильин С.Н. Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа лавинно-пролетных диодов в сильном СВЧ-поле// Известия вузов. Электроника. 2003. №4. С. 5–12.
40. Usanov D.A., Skripal A.V., Abramov A.V. Optical control of semiconductor synchronized microwavе oscillators in the power suppression mode// Journal of Telecommunications and Information Technology// 2003. N 1. P. 30–35.
41. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Вениг С.Б., Орлов В.Е., Угрюмова Н.В., Посадский В.Н., Клецов А.А. Воздействие мощного микроволнового излучения на полупроводниковые диодные структуры в цепях СВЧ//Известия вузов. Радиоэлектроника. 2003 . Т. 46, №3. С.40–48.
42. Usanov D.A.; Skripal Al.V., Skripal An.V., Kurganov A.V Interaction of Microwave Radiation with Magnetic Liquid Layer Placed in Waveguide // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2002. Vol.252. P.183-185.
43. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В. Оптическое управление полупроводниковыми синхронизированными СВЧ-генераторами, работающими в схеме вычитания сигналов// Известия вузов. Электроника. 2002. №5. С. 31–39.
44. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Вычислительные методы в физике твердого тела (издание второе, дополненное). Учеб. пособие – Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2002. 136 с.
45. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Курганов А.В. Спектр отражения СВЧ излучения от структуры магнитная жидкость - диэлектрик и определение по нему параметров магнитной жидкости// Дефектоскопия. 2002. №3. С.48–55.
46. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Курганов А.В. Определение параметров магнитной жидкости по отражению сверхвысокочастотного излучения// ЖТФ. 2001. Т.71. №12. С.26-29.
47. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В. Видеотехнологии автоматизированного контроля.. Саратов: Изд-во СГУ, 2001. 96 с.
48. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Ульянов Д.В. Влияние магнитного поля на работу полупроводниковых синхронизированных СВЧ-генераторов в режиме гашения мощности// Изв. ВУЗов. Электроника. 2000. №6. С. 49–54.
49. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В., Вениг С.Б., Орлов В. Е. Возникновение режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ-сигнала//ФТП. 2000. Т. 34, вып. 5. С. 567-571.
50. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках диодных структур на основе p-n-перехода при воздействии сверхвысокочастотного излучения высокого уровня мощности// Радиотехника и электроника. 2000. Т. 45, №12. С. 1509–1513.
51. Скрипаль А.В., Усанов Д.А., Абрамов А.В. Нелинейная динамика генератора на туннельном диоде при воздействии внешнего СВЧ-сигнала // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. 2000. Т.8, № 4. С. 66–73.
52. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999 г. 376 с..
53. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Вениг С.Б., Феклистов В.Б. Лабораторные работы по курсу «Измерение параметров полупроводников на СВЧ». Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1997 г. 140 с.
54. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика полупроводников (явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями). Саpатов: Изд-во Сарат. ун-та, 1996 г. 236 с.
55. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Температурные зависимости вольт-амперных характеристик СВЧ-диодов на основе p–n-переходов в сильном СВЧ-поле// Изв. вузов. Электроника. 2000. №1. С.51–58.
56. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Вениг С.Б. Орлов В. Е. Возникновение режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ-сигнала// Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34, вып. 5. С. 567-571.
57. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В.Возникновение S-образных участков на вольтамперных характеристиках диодов с p–n-переходом под действием СВЧ-излучения// Письма в ЖТФ. 1999. Т.25, №1. С.42–45.
58. Усанов Д.А., Скрипаль Ан.В., Скрипаль Ал.В. Формирование сталагмитоподобных структур в магнитной жидкости при включении ортогонального магнитного поля// Изв. Вузов «Прикладная нелинейная динамика». 1998. Т.6. №6. С.70–72.
59. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Бабаян А.В. Влияние саморазогрева диодов Ганна на спектр выходного сигнала генераторов на их основе// Изв. Вузов «Прикладная нелинейная динамика». 1998. Т.6. №6. С.20–28.
60. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в диодных структурах на основе p–n-перехода при воздействии СВЧ-излучения//ФТП. 1998. Т.32, №11. С. 1399–1402.
61. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Бабаян А.В. Взаимосвязь сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях с характеристиками генераторов на их основе // Письма в ЖТФ.1998. Т.24, вып. 10. С.1–7.
62. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в p–i–n-диодных структурах при воздействии СВЧ-излучения// Известия вузов-Электроника. 1997. N3–4. С.48–52.
63. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Орлов В.Е., Коротин Б.Н. Управление видом вольт-амперной характеристики последовательно соединенных туннельных диодв греющим СВЧ-полем// Изв. Вузов Электроника. 1996. №1–2. С.129–133.
64. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Авдеев А.А., Бабаян А.В. Эффект автодинного детектирования в генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания// Радиотехника и электроника 1996. Т.41, № 12. С. 1497–1500.
65. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Тяжлов В.С. Васильева А.В. Оптическое управление характеристиками усилителя на GaAs ПТШ в режиме большого сигнала//Радиотехника и электроника. 1996. Т.41, № 11. С.1390–1397.
66. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Авдеев А.А. О взаимосвязи характеристик диодов Ганна, работающих в режиме генерации, с их сопротивлением в слабых электрических полях// ЖТФ. 1995. Т.65. Вып.10. С.197-198.
67. Усанов Д.А., Тупикин В.Д., Скрипаль А.В., Коротин Б.Н. Использование эффекта автодинного детектиpования в полупpоводниковых СВЧ генеpатоpах для создания устpойств pадиоволнового контpоля// Дефектоскопия. 1995. N5. С.16–20.
68. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Коротин Б.Н. Орлов В.Е. Влияние греющего СВЧ поля на вид вольтамперной характеристики туннельного диода//Письма в ЖТФ. 1993. Т.19, вып.7. С.81–85.
69. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Орлов В.Е. Прибор для дистанционного измерения вибраций// ПТЭ, 1991, N 1 (январь-февраль) С. 242–243.
70. Усанов Д.А., Коротин Б.Н., Орлов В.Е., Скрипаль А.В. Снятие вырождения в p- и n-областях туннельного диода внешним СВЧ-сигналом//Письма в ЖТФ, 1990, Т.16, вып.5. 1990 г. С.50–51.
71. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Эффект невзаимности в СВЧ генераторах на ЛПД// Изв.вузов-Радиоэлектроника. 1988. Т.31, N 10. С. 68–69.
72. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Эффект невзаимности в диоде Ганна в скрещенных стационарных электрическом и магнитном полях// Изв.вузов-Радиоэлектроника. 1987. Т.30, N5. С.53–55.
73. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Горбатов С.С. Влияние ИК излучения на генерацию диодов Ганна// Иэв.вузов-Радиоэлектроника. 1982. Т.25, N10. С.92–93.
74. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Горбатов С.С. Особенности низкочастотной генерации СВЧ диодов Ганна// Изв.вузов-Радиоэлектроника. 1981. Т.24, N10. С.67–69.
<\p>
