доктор физико-математических наук
профессор кафедры физики твердого тела 
Саратовского государственного университета им. Н.Г.Чернышевского

Наиболее значимые публикации:

1. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999 г. 376 с.
2. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Вычислительные методы в физике твердого тела. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999. 108 с.
3. Усанов Д.А., Вениг С.Б., Феклистов В.Б., Скрипаль А.В. Лабораторные работы по курсу “Измерение параметров полупроводников на СВЧ”. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1997 г. 140 с.
4. Усанов Д.А., Скpипаль А.В. Физика полупроводников (явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями). Саpатов: Изд-во Сарат. ун-та, 1996 г. 236 с.
5. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Эффект невзаимности в диоде Ганна в скрещенных стационарных электрическом и магнитном полях //Изв.вузов–Радиоэлектроника. 1987. Т.30, N5. С.53–55.
6. Усанов Д.А., Коротин Б.Н., Орлов В.Е., Скрипаль А.В. Снятие вырождения в p- и n-областях туннельного диода внешним СВЧ-сигналом//Письма в ЖТФ, 1990, Т.16, вып.5. 1990 г. С.50–51.
7. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Коротин Б.Н., Орлов В.Е. Влияние греющего СВЧ поля на вид вольтамперной характеристики туннельного диода//Письма в ЖТФ. 1993. Т.19, вып.7. С.81–85.
8. Усанов Д.А., Тупикин В.Д., Скрипаль А.В., Коpотин Б.Н. Использование эффекта автодинного детектиpования в полупpоводниковых СВЧ-генеpатоpах для создания устpойств pадиоволнового контpоля//Дефектоскопия. 1995. N5. С.16–20.
9. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Тяжлов В.С., Васильева А.В. Оптическое управление характеристиками усилителя на GaAs ПТШ в режиме большого сигнала//Радиотехника и электроника. 1996. Т.41, № 11. С.1390–1397.
10. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в диодных структурах на основе p–n-перехода при воздействии СВЧ-излучения//ФТП. 1998. Т.32, №11. С. 1399–1402.
11. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Бабаян А.В. Взаимосвязь сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях с характеристиками генераторов на их основе // Письма в ЖТФ.1998. Т.24, вып. 10. С.1–7.
12. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Формирование сталагмитоподобных структур в магнитной жидкости//Изв. вузов. Прикладная нелинейная динамика. !998. Т.6, №6. С.70–72.
13. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение S-образных участков на вольт-амперных характеристиках диодов с p–n-переходом под действием СВЧ-излучения // Письма в ЖТФ. 1999. Т.25, №1. С.42–45.
14. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Эффект синхронизации внешним электрическим полем частоты сердцебиений дафнии // Письма в ЖТФ. 1999. Т.25, вып.4. С.74–78.
15. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Температурные зависимости вольт-амперных характеристик СВЧ-диодов на основе p–n-переходов в сильном СВЧ-поле// Изв. вузов. Электроника. 2000. №1. С.51–58.

Адрес:410026, г. Саратов, ул. Астраханская, 83. Кафедра физики твердого тела . 
Саратовский государственный университет. E-mail: skripala_v@info.sgu.ru. Fax: (7-8452)-24-04-46